На основе опыта проектирования широкополосных и сверхширокополосных СВЧ-усилителей излагаются основные этапы проектирования усилителей с полевым транзистором с барьером Шоттки в качестве активного элемента, рассматриваются некоторые расчетные и измерительные работы, выполняемые на каждом этапе. Обсуждаются практические вопросы, связанные с выбором транзистора, схемы его включения и рабочей точки, схемы построения усилителя. Приводятся инженерные формулы, связывающие характеристики проектируемых изделий с параметрами используемых приборов и материалов.
Для студентов, магистрантов и аспирантов, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Физика».
Тяжлов В. С. Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах : учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий [Электронный ресурс] / В. С. Тяжлов, В. Н. Посадский. – Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 2019. – 36 с. : ил. – URL: https://books.sgu.ru/tutorials/978-5-292-04601-1. – Имеется печатный аналог.